[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [7a-S22-5] 空乏層端部の電子分布を考慮した光等温過渡容量分光法によるn型GaNホモエピタキシャル成長層中の正孔トラップの評価

〇鐘ヶ江 一孝¹、堀田 昌宏¹、木本 恒暢¹、須田 淳^1,2,3 (1.京大院工、2.名大 未来材料・システム研究所、3.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、光等温過渡容量分光法、正孔トラップ

高耐圧GaN縦型パワーデバイスの性能向上のために、耐圧維持層中の深い準位の起源解明とその制御は重要である。我々は、光等温過渡容量分光法(OICTS法)によって、正孔トラップの評価を行ってきた。n型GaNに対するOICTS法では、光照射によって空乏層中の深い準位を正孔占有状態にして、光遮断後の深い準位からの正孔の放出量を評価することができる。本研究では、OICTSスペクトルの逆バイアス電圧依存性を評価したので報告する。