[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7p-C17-11] ハライド気相成長法を用いた2インチ（001）β-Ga₂O₃基板上ホモエピタキシャル成長

〇脇本 大樹^1,2、ティユ クァン トゥ²、佐々木 公平^1,2、後藤 健^1,2、小西 敬太³、村上 尚³、倉又 朗人^1,2、熊谷 義直³、山腰 茂伸^1,2 (1.タムラ製作所、2.ノベルクリスタル、3.東京農工大)

キーワード：β-Ga2O3、ハライド気相成長法

ハライド気相成長（HVPE）法を用いて2インチ(001)β-Ga₂O₃基板上に導電性制御されたホモエピタキシャル厚膜成長に初めて成功したことを報告する。