09:30 〜 11:30 [16a-P4-29] ゲート金属残留応力がGaN HEMTの電気的特性に与える影響- TCADシミュレーションによる検討 - 〇大石 敏之1、山口 裕太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大工、2.三菱電機情報総研)