[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-15] 冷熱サイクル試験にかけたSiCダイアタッチの非破壊・破壊複合解析

〇山下 真理¹、鈴木 達広¹、荒木 祥和¹、森 哲也¹、荻原 尚志²、田中 秀和²、薬丸 尚志³、谷本 智¹ (1.日産アーク、2.ケースレーインスツルメンツ、3.日立パワーソリューションズ)

キーワード：SiC

前回、焼結ナノAgまたは共晶Au-Geはんだで接合したSiC-SBDダイアタッチが温度レンジ-40℃～250℃の冷熱サイクル試験（TCT）によって劣化して行く過程を、超音波顕微鏡観察（SAT）、シェア強度試験、過渡熱温度上昇計測などの手段を用いて、観察した[1]。今回の講演では前記TCT, 3000 cyclesを終了したサンプルの劣化の態様を詳らかにする。この目的を達成するために透過X線観察や断面SEM等を用いた非破壊・破壊解析を行った。