[17a-E206-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17a-E206-8] Influence of Residual Fluorine on Internal Stress of W Thin Films

〇Yoshinori Tokuda¹, Kazunori Harada¹, Satoshi Ishikawa¹, Shunsuke Imaizumi², So Takamoto², Satoshi Izumi² (1.Toshiba, 2.Univ. of Tokyo)

Keywords:tungsten, CVD, Internal Stress

半導体デバイスの微細化に伴い、タングステン(W)などのメタル材料に対する段差被覆性の良い成膜技術として、化学気相成長法(CVD)を用いたメタル成膜技術が開発された。WのCVD成膜には原料ガスとして主にWF₆が使用され、W薄膜中にFが残留することが知られている。そこで本研究ではCVD成膜したW薄膜の内部応力に着目し、残留F濃度との関係を明らかにする。