17:15 〜 17:30 △ [20p-438-14] 等温過渡容量法(ICTS)を用いたSi基板内部のプラズマ誘起潜在欠陥解析手法の提案 〇濱野 誉1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)