[19p-133-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[19p-133-10] IrO_x/PLZT/Pt強誘電体キャパシタにおける熱処理及びIrO_x酸化度の最適化による分極特性向上と結晶化メカニズム解析

〇野村 健二¹、王 文生²、山口 秀史¹、中村 亘²、恵下 隆^2,3、小澤 聡一郎²、高井 一章²、三原 智²、彦坂 幸信²、濱田 誠²、児島 学²、片岡 祐治¹ (1.富士通研、2.富士通セミコンダクター、3.和歌山大)

キーワード：強誘電体メモリ、IrOx/PLZT/Pt

強誘電体メモリ(FRAM)用のIrO_x/PLZT/Ptキャパシタにおいて、熱処理工程と上部電極IrO_x酸化度の最適化により、分極特性が大きく向上することを見出した。特性向上のプロセス要件は2つある。1つ目は低温でPLZTをペロブスカイト化した後にIrO_xを成膜し、さらに高温で再熱処理するという熱処理工程にある。2つ目はIrO_x膜をIrO₂とIrの混晶状態にすることである。見出したプロセス条件がIrO_x/PLZT界面における結晶の再構成を促し、特性が向上したことを示唆する。