[20a-224A-1~10] 3.7 レーザープロセシング

[20a-224A-4] レーザステルスダイシングによリ生じたSi結晶欠陥のTEM解析

〇岩田 博之¹、坂 公恭²、河口 大祐² (1.愛知工業大、2.浜松ホトニクス)

キーワード：レーザダイシング、結晶欠陥、ステルスダイシング

ステルスダイシング（SD）法により形成した改質層を数µm厚さのTEM試料内に収め，その結晶構造の解明を試みた．TEM(加速電圧200～1000kV)観察は，非干渉性像を長いフォーカス深度で得ることができる明視野走査透過モード（BF-STEM）を利用した．
集光領域の特徴的なボイド, Siの高圧相が付着したボイド, グライドセット転位の集合体そしてクラックからなるレーザ誘起損傷領域について詳細に解析を行った．またin-situ加熱TEM観察による性状の変化についても言及する．