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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2018年9月20日(木) 13:45 〜 18:00 221C (2Ｆラウンジ1)

黒木伸一郎(広島大)、江藤数馬(産総研)

14:00 〜 14:15

[20p-221C-2] 窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール

〇(M1)河崎星輝¹、花房宏明¹、東清一郎¹ (1.広大院　先端研)

キーワード：SiC、活性化