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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2018年9月20日(木) 13:45 〜 18:00 221C (2Ｆラウンジ1)

黒木伸一郎(広島大)、江藤数馬(産総研)

15:15 〜 15:30

[20p-221C-6] Cr単一溶媒でのSiC溶液成長における溶質供給源の形状が成長結晶に与える影響

〇鈴木皓己¹、太子敏則¹ (1.信州大工)

キーワード：SiC溶液成長、バルク結晶育成