2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年9月20日(木) 13:45 〜 19:15 438 (3Fラウンジ)

石川 健治(名大)、大村 光広(東芝メモリ)

14:30 〜 14:45

[20p-438-4] In-situ表面解析手法による水素プラズマのSiNx表面改質機構

〇(M1)中根 一也1、ルネイ ヘンリカス ヨセフ フェーフィート2、堤 隆嘉1、小林 明子2、小林 伸好2、堀 勝3 (1.名大院工、2.日本エー・エス・エム、3.名大未来社会創造機構)

キーワード:原子層エッチング、シリコンナイトライド、プラズマ

高い制御性および加工精度を有する原子層エッチング(ALE)が注目されている。SiNxにおいては、水素プラズマ照射による表面改質およびFラジカルによる改質層除去というサイクルからなるALE手法が報告されている。しかし、水素プラズマ照射による表面改質機構はわかっておらず、改質層の制御は行えていない。そこで、本研究では、種々のin-situ表面解析手法を用いて水素プラズマ照射後のSiNx表面改質機構を解明した。