[20p-438-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20p-438-5] Effects to addition of H₂ into Cl₂ plasma at high temperature for etching of GaN

〇(M1)Takahiro Omichi¹, Tanide Atsushi^1,2, Ishikawa Kenji¹, Tsutsumi Takayoshi¹, Kondo Hiroki¹, Sekine Makoto¹, Hori Masaru¹ (1.Nagoya Univ., 2.SCREEN Holdings Co., Ltd.)

Keywords:gallium nitride, etching, Cl2

GaNのプラズマエッチングにはダメージレスプロセスが必要とされる。400℃程度に基板を昇温してのエッチングにより、バンド端発光のフォトルミネッセンス強度の劣化が抑制されたが、純Cl₂プラズマでは、エッチピット生成、表面凹凸形成に改善が必要であった。室温下でH₂添加Cl₂プラズマエッチング時に、Clラジカルの減少が確認された。基板昇温時のH₂添加Cl₂プラズマエッチング時の表面形状への影響を調べたので報告する。