2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年9月20日(木) 13:45 〜 19:15 438 (3Fラウンジ)

石川 健治(名大)、大村 光広(東芝メモリ)

15:00 〜 15:15

[20p-438-6] 大気圧マイクロ波励起O2/CF4プラズマによるフォトレジスト除去処理

石川 翔太1、鈴木 陽香1、本田 剛2、豊田 浩孝1 (1.名大工、2.ニッシン)

キーワード:アッシング、大気圧プラズマ、マイクロ波プラズマ

プラズマによるアッシング処理はデバイスを製造する上で必要不可欠な技術の一つである。従来、これらのプロセスは減圧環境下において行われてきたが、大型の真空装置が高価である等の問題があった。これを解決するために、我々はこれまでに、大気圧においてメートル級のプラズマ生成が可能であるプラズマ源の研究開発を行ってきた。本研究ではこの類似装置を用いて酸素プラズマによるアッシング及び評価を行ったので報告する。