[20p-438-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20p-438-6] Photoresist Removal Treatment Using Atmospheric-Pressure Microwave O₂/CF₄ Plasma

〇Shota Ishikawa¹, Haruka Suzuki¹, Tsuyoshi Honda², Hirotaka Toyoda¹ (1.Nagoya Univ., 2.Nissin)

Keywords:photoresist removal treatment, atmospheric pressure plasma, microwave plasma

プラズマによるアッシング処理はデバイスを製造する上で必要不可欠な技術の一つである。従来、これらのプロセスは減圧環境下において行われてきたが、大型の真空装置が高価である等の問題があった。これを解決するために、我々はこれまでに、大気圧においてメートル級のプラズマ生成が可能であるプラズマ源の研究開発を行ってきた。本研究ではこの類似装置を用いて酸素プラズマによるアッシング及び評価を行ったので報告する。