PDF ダウンロード スケジュール 26 いいね! 1 コメント (0) 11:00 〜 11:15 △ [21a-331-8] 四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価 〇細見 大樹1、古岡 啓太1、陳 珩1、久保 俊晴1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大) キーワード:AlGaInN、AlGaNチャネルHFET