[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-8] レーザビア形状均一化のためのハーフインチウェハボンディング

〇居村 史人^1,2、岩崎 聖次³、松下 博史³、井上 道弘¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.石井工作研究所)

キーワード：ミニマルファブ

我々はミニマルファブによるハーフインチサイズパッケージの開発を進めてきた。これまで、レーザビアの単体プロセス開発を行い、電気的導通を確認してきた。このレーザビア加工前のプロセス、すなわちダイボンディングプロセスでの接合の良否もレーザビアの形成状態、特にウェハ面内の均一性に影響を与える可能性がある。今回、レーザビア形状をパッケージ面内で均一にするためのダイボンディングプロセスを評価したので報告する。