一般セッション(口頭講演)
[18a-233-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:30 〜 09:45
〇安井 大貴1、 山際 翔太1、 久保 寛1、 井戸川 槙之介1、 久保田 吉博1、 河野 剛士1 (1.豊橋技術科学大学)
09:45 〜 10:00
〇田原 絵梨1、 藤田 徹1、 井上 健剛1、 田中 正勝1、 保木 力也1、 井谷 直毅1、 森 年史1 (1.三重富士通セミコンダクター)
10:00 〜 10:15
〇岡田 直也1、 内田 紀行1、 小川 真一1、 金山 敏彦1 (1.産総研)
10:15 〜 10:30
〇村上 修一1、 吉村 武2、 金岡 祐介1、 荒牧 正明2、 津田 和城1、 佐藤 和郎1、 神田 健介3、 藤村 紀文2 (1.大阪技術研、2.阪府大院工、3.兵庫県立大)
10:30 〜 10:45
〇渡部 善幸1、 矢作 徹1、 阿部 泰1、 村山 裕紀1、 九里 伸治2、 吉田 賢一2、 指田 和之2、 新井 大輔2、 池田 克弥2 (1.山形工技セ、2.新電元)
10:45 〜 11:00
〇中島 英亮1、 Tso-Fu Mark Chang1、 Chun-Yi Chen1、 山根 大輔1、 小西 敏文2、 町田 克之1、 年吉 洋3、 伊藤 浩之1、 益 一哉1、 曽根 正人1 (1.東工大、2.NTT-AT、3.東大)
11:00 〜 11:15
〇今泉 文伸1、 柳田 幸祐 (1.小山高専)
11:15 〜 11:30
〇Penekwong Khemnat1、 割澤 伸一1、 菅谷 俊夫2、 橋本 将太2、 河野 行雄2、 米谷 玲皇1 (1.東大院 新領域、2.東工大 未来研・電気電子系)
11:30 〜 11:45
畠垣 知弥1、 熊谷 慎也2、 〇佐々木 実1 (1.豊田工大、2.名城大)
11:45 〜 12:00
〇田中 佐和子1、 大西 脩平1、 石田 誠1、 澤田 和明1、 石井 仁1、 町田 克之2、 二階堂 靖彦3、 齋藤 光正3、 吉田 眞一4 (1.豊橋技科大、2.東工大、3.産業医科大、4.福岡聖恵病院)