[18a-233-1~10] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[18a-233-3] Thermal reactivities between Cu layer and amorphous WSi_n films depending on composition n

〇Naoya Okada¹, Noriyuki Uchida¹, Shinichi Ogawa¹, Toshihiko Kanayama¹ (1.AIST)

Keywords:Silicide, Barrier film, BEOL

我々は、新しいバリア膜としてWSi_nクラスターを凝集したアモルファス半導体薄膜（WSi_n膜）に着目している。本研究では、WSi_n膜の優れた組成制御性を利用して、様々なn値のWSi_n膜とCuの積層構造を作製し、熱処理による反応性を調べた。WSi_n膜はSiリッチ組成であるにもかかわらず、Cuとの反応が抑制される。特にn=~8と~12で抑制効果が大きい。