[21p-233-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[21p-233-11] Characterization of CMP within wafer non-uniformity

〇Harumi Iitsuka^1,2, Takashi Yajima^3,2, Noriko Miura², Sommawan Khumpuang^2,3, Shiro Hara^2,3 (1.Yokogawa SS, 2.Minimal, 3.AIST)

Keywords:Minimal Fab

CMPの典型的な使用方法であるデバイス工程での平坦化プロセスについての研磨速度や局部的な平坦性の評価を行ってきたが、これまでウエハ全面を詳細に評価しきれてはいなかった。ここで重要なことは小口径ほどウェハ外周部の削れ量が多くなるという本質的課題を克服しなければならないことである。そこで、今後デバイス製作プロセスに対応できるCMP工程を確立するために、現状の面内均一性の改善を実験計画法を用いて解析した。