[21p-233-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[21p-233-3] TiN-Gate SOI CMOS Fabricated by minimal fab

〇Kazuhiro Koga¹, Y. X. Liu², Fumito Imura^1,2, Masashi Kase², Shuichi Noda², Kazumasa Nemoto², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST)

Keywords:Thermal diffusion, TiN Gate

SOIウエーハとTiN反応性スパッタ膜を用いた完全空乏型SOI CMOSプロセスを検討した。イオン注入装置は未だ開発中の為、液体ドーピングによる熱拡散を用いた。SOIウエーハは素子分離が容易でリーク電流低減や拡散時間の短縮に効果がある。TiN膜はSiのバンドギャップの中心に仕事関数を有する材料で、CMOSを作る上でpウエルが不要となり工程短縮に効果がある。CMOSプロセス全てをミニマル装置のみを使用して試作し、良好な電気特性が得られた。