[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-8] シリコンウェーハ表面の極微量分析技術の開発

〇米澤 周平¹、土橋 和也¹、岩井 繁幸¹、一之瀬 達也²、坂口 隆志² (1.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ、2.イアス)

キーワード：半導体、金属不純物、誘導結合プラズマ質量分析法

ウェーハ上の金属汚染の厳しい制御が求められており、これに対応するためウェーハ上金属汚染の超高感度分析技術を開発した。ウェーハ上金属成分の回収から測定までの過程で極微量分析のための取り組みを行った結果、弊社既存装置で実現できなかった極微量金属汚染分析が可能となった。