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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 G203 (63-203)

齋藤真澄(東芝)、宮地幸祐(信州大)

17:00 〜 17:15

[18p-G203-15] TLC NAND型フラッシュメモリにおけるLDPC符号の訂正能力向上に向けたバーストエラー削減手法

〇中村俊貴¹、出口慶明¹、竹内健¹ (1.中大理工)

キーワード：NAND型フラッシュメモリ、LDPC符号、信頼性