[20a-E201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-E201-5] FZ法によるβ-Ga₂O₃単結晶の高品質化

〇伊藤 利充¹、尾崎 康子¹、富岡 泰秀¹、渡邊 幸志¹ (1.産総研)

キーワード：β-Ga2O3、ワイドギャップ半導体、結晶成長

貴金属容器を不要にすることでコスト低減・不純物制御・ドーパント制御を同時に実現するフローティング・ゾーン法を用いた結晶成長により、β-Ga₂O₃結晶の高品質化に取り組んでいる。