09:45 〜 10:00 [20a-E301-4] 異なる堆積法を用いて作製したSiO2/n-GaN界面のDLTS測定による評価 〇(M2)田村 和也1、徳田 豊1、大川 峰司2、富田 英幹2 (1.愛知工大、2.トヨタ自動車)