09:45 〜 10:00 [20a-E302-4] 埋め込みSiO2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL 〇(M2)飯田 涼介1、村永 亘1、上島 佑介1、岩山 章1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大、2.名古屋大)