2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[18a-C212-1~11] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:00 C212 (C212)

深田 直樹(物材機構)、鳥越 和尚(SUMCO)、杉村 渉(SUMCO)

09:30 〜 09:45

[18a-C212-3] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(ⅩⅨ) 第二世代赤外吸収測定法の標準手順

井上 直久1,2、奥田 修一2、川又 修一2 (1.東京農工大学工学院、2.大阪府大研究推進)

キーワード:CZシリコン結晶、炭素濃度、赤外吸収

前回までにシリコン結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定で室温で単結晶とポリシリコンの検出下限1013/cm3、定量下限1014/cm3を実現しメーカで実用化された。そこで今回はその標準手順の基礎を提案する。人工参照試料の準備、装置の較正、高精度スペクトルの取得、ベースライン(Long:573-618-637cm-1, Short: 592-618 cm-1)と妨害吸収消去(600, 608, 612 cm-1)から構成される。