[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-N302-18] 高出力p型MOSFETの実現に向けた縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの開発

〇(M1)西村 隼¹、岩瀧 雅幸¹、大井 信敬¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、縦型MOSFET、パワーデバイス

縦型ダイヤモンドMOSFETの大電流化及び低オン抵抗化に向け、ゲート幅WGを 20 mm まで増加させた(001) 縦型連結デバイスを作製し、最大ドレイン電流-1.6 Aの大電流動作を達成した。更に、世界初の(111)面を用いた六角形トレンチ縦型デバイスの作製を行った。最大ドレイン電流密度-250 mA/mm、オン抵抗9.2 mΩ cm2が得られた。本研究より低損失・高出力な縦型p-FETの開発が期待される。