[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-2] 異なる炭素濃度のMOVPE n-GaNに対する光DLTS測定

〇(M2)伊藤 俊¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：光DLTS、MCTS

MCTS法により観測されるMOVPE n-GaNの主トラップである正孔トラップH1には複数の近接したエネルギー準位のトラップが含まれる可能性がある。炭素濃度を変化させた試料に対して、禁制帯幅以下の光パルスを用いるODLTS測定により、信号分離を行った。正孔トラップH1には、3つのトラップが含まれることがわかった。炭素濃度を変化させた試料における詳細な検討は、当日発表する。