[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-11] Si/Hf_0.5Zr_0.5O₂の界面特性改善に向けたアニール条件の検討

〇田原 建人¹、加藤 公彦¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大学)

キーワード：強誘電体、アニール