[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19a-PB5-3] Investigation on Annihilation of Point Defects in III-V-N Alloys by Proton Irradiation(2)

〇Shigeto Genjo¹, Keisuke Yamane¹, Ryo Futamura¹, Mitsuru Imaizumi², Takeshi Ohshima³, Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Univ., 2.JAXA, 3.QST)

Keywords:GaAsPN, point defect, proton

III-V-N混晶では、一般的にN組成の増加に伴い、NクラスタやN-N対等のN起因の点欠陥が増加する。結晶性の回復には熱処理による方法が広く行われてきたが、完全な結晶性の回復には至っていない。これまで我々はGaPNに陽子線を照射し熱処理を施すことで熱処理のみの場合よりも効果的な結晶性の回復を見出した。本研究ではN組成の異なるGaAsPNに陽子線を照射し熱処理を施すことでGaPN同様に結晶性回復効果を図った。