[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-8] GaSb薄膜上へのAl照射がInSbドット密度に与える影響

〇土屋 隆史¹、深川 大地¹、町田 龍人¹、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工)

キーワード：InSb

InSbドット成長前処理としてGaSb薄膜表面上にAl又はAlとSbを数原子層照射し、Inのマイグレーション及びInSbドット成長に与える影響を調査した。結果、Alのみ照射した場合、Alの被覆率増加に伴って密度が増加し、AlとSbの同時照射した場合、Alの被覆率増加に伴って密度が減少した。