[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-E301-5] Mgイオンを注入したGaNで構成したMOSダイオードの界面準位アドミッタンスの解析

〇(M2)鴨志田 亮¹、村井 駿太¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入

GaNパワーデバイス作製プロセスにおいて、p型領域を選択的に形成するにはMgイオン注入が有力な手段となる可能性が高いが、未だ完成された技術とはなっていない。技術確立のためには、Mgイオン注入により、GaNバルク中および表面において発生する欠陥準位や表面準位について調べることが重要である。本報告では、Mgイオン打ち込みを行ったGaNを用いて作製したMOSダイオードに対し、C–V測定およびC–f測定を行い、界面準位アドミッタンスを解析することで、欠陥準位の情報が得られることを示す。