[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-E301-6] 高温熱処理p-GaN上に作製したSiO₂/p-GaN MOSのCV, DLTS測定

〇(M1)吉田 光¹、竹内 和歌奈¹、徳田 豊¹、大川 峰司²、富田 英幹² (1.愛知工大、2.トヨタ自動車)

キーワード：p-GaN

CV, DLTSを用いて、MOVPE法により成長させたp-GaNの高温熱処理の影響を調べた。試料はn⁺-GaN基板上にn /p (1x10¹⁸ cm-³)/ p⁺ (8x10¹⁹ cm^-3)を成長させ、5分間, 1142 °Cで熱処理したp-GaN上のSiO₂/p-GaN MOSである。高温熱処理により、p⁺層においてイオン化アクセプタ濃度は6.5x10¹⁶ cm^-3に低下した。時定数191 msのDLTS測定でバルク領域を測定条件とした場合、355 Kにシャープなピークを観測した。界面準位とバルクトラップを含む測定条件では350 K付近にブロードなピークを観測した。