[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-11] MgO薄膜のホモエピタキシャル成長および光学特性

〇星 翔馬¹、工藤 幹太²、尾沼 猛儀²、本田 徹²、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.工学院大先進工)

キーワード：深紫外発光、MgZnO、酸化物半導体

現在深紫外光源として主流のガス光源には、有害物質の使用や筐体の大きさ、低寿命で大きな消費電力を必要とする等の問題がある。これらを解決する無害で小型の固体光源としてMgZnOに注目している。これまでMg基板上にMg組成95%のMgZnO薄膜を作製し、波長199nmでの真空紫外発光を報告してきたが、MgO薄膜自体の発光特性や構造評価は、発光メカニズムの解明に重要である。そこでMgO薄膜のホモエピタキシャル成長とその評価を行ったので報告する。