[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-6] ハイドライド気相成長法によるワイドマスクを有した高品質半極性{20-21}GaNテンプレート上GaNの成長

〇新宮 章吾¹、加納 宗一郎²、岡田 成仁¹、ジェ ソン³、ジュン ハン³、只友 一行¹ (1.山口大院・創成科学、2.山口大学工学部、3.エール大学)

キーワード：HVPE、半極性、GaN