2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年9月20日(金) 13:30 〜 18:15 E311 (E311)

矢野 裕司(筑波大)、田中 保宣(産総研)

13:30 〜 13:45

[20p-E311-1] C面4H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥:EDMR分光からの知見

梅田 享英1、鹿児山 陽平1、富田 和輝1、阿部 裕太1、岡本 光央2、畠山 哲夫2、原田 信介2 (1.筑波大数物、2.産総研)

キーワード:炭化ケイ素、MOS界面欠陥、電子スピン共鳴分光

電流検出電子スピン共鳴(EDMR)分光の結果から、C面4H-SiCのウェット酸化プロセスを議論する。この界面では、EDMR分光によって2種類の界面欠陥が検出され、それらはどちらも空孔型欠陥であった。すなわちC面ウェット酸化は「界面に空孔型欠陥を作る」ことが特徴と言える。さらに界面での空孔型欠陥は、界面構造や酸化プロセスとの兼ね合いで、ある限られた原子構造を取ることが分かった。