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[20p-E311-1] C面4H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥:EDMR分光からの知見
キーワード:炭化ケイ素、MOS界面欠陥、電子スピン共鳴分光
電流検出電子スピン共鳴(EDMR)分光の結果から、C面4H-SiCのウェット酸化プロセスを議論する。この界面では、EDMR分光によって2種類の界面欠陥が検出され、それらはどちらも空孔型欠陥であった。すなわちC面ウェット酸化は「界面に空孔型欠陥を作る」ことが特徴と言える。さらに界面での空孔型欠陥は、界面構造や酸化プロセスとの兼ね合いで、ある限られた原子構造を取ることが分かった。