[20p-E317-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

[20p-E317-4] 蒸着時エレクトロマイグレーション法による3端子ナノ電極の形成

〇阿部 卓也^1,3、菅 洋志¹、塚越 一仁²、内藤 泰久³ (1.千葉工大、2.物材機構、3.産総研)

キーワード：ナノギャップ、微細構造、トランジスタ

ナノギャップ電極にゲート構造を設けた構造の作製法として様々な手法が報告されているが、トンネル電流を定常的に検出できるナノギャップ三端子構造の実現は難しい。そこで我々は金属蒸着中にバイアス電圧を印加することによって自己整合的に1 nm程度のナノギャップ構造を形成する方法を応用して、平面上にナノスケールで3端子構造を有する簡単な形成法を提案する。