[21a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

[21a-C309-11] 低電圧動作FRAMにおける低リーク電流積層PbLa(Zr,Ti)O₃キャパシタの開発

〇王 文生¹、中村 亘¹、高井 一章¹、野村 健二²、恵下 隆^3,1、中林 正明¹、小澤 聡一郎¹、山口 秀史²、三原 智¹、彦坂 幸信¹、齋藤 仁¹、片岡 祐治²、児島 学¹ (1.富士通ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ、2.富士通研、3.和歌山大)

キーワード：積層PLZT、キャパシタ、FRAM

低電圧動作、低リーク電流を持つ優れた積層PbLa(Zr,Ti)O₃ (PLZT)キャパシタの成膜プロセスを開発した。新たなプロセスで形成した薄膜化積層PLZTキャパシタは分極特性の立ち上がりは良好なまま、従来と同等以上の飽和分極量が得られ、リーク電流を一桁以上低減できた。これは、積層強誘電体キャパシタ上部電極の形成条件及び熱処理方法を工夫することによって、上部電極と強誘電体膜の界面を制御した結果である。