2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月21日(土) 12:45 〜 16:30 B31 (B31)

川原村 敏幸(高知工科大)、池之上 卓己(京大)

13:30 〜 13:45

[21p-B31-4] HVPE法を用いたβ-Ga2O3成長における成長温度と供給VI/III比の影響

後藤 健1、三浦 遼1、加茂 崇1、竹川 直1、村上 尚1,2、熊谷 義直1,2 (1.東京農工大、2.東京農工大IGIR)

キーワード:酸化ガリウム、ハライド気相成長