15:30 〜 15:45 [11p-70A-10] 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測 〇長屋 圭祐1、平山 貴史1、俵 武志2,3、村田 晃一4、土田 秀一4、加藤 正史1 (1.名工大、2.産総研、3.富士電機、4.電中研)