[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-9] Lifetime mapping around surface roughness on a 4H-SiC wafer

〇Keisuke Nagaya¹, Takashi Hirayama¹, Masashi Kato¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:lifetime, SiC

高耐圧素子向けの 4H-SiC のデバイス製造歩留まりの向上にむけて、高い空間分解能を有するウ ェハ結晶品質評価は重要である。本研究室では、高い空間分解能での評価が可能である自由キャ リア吸収(FCA)法を用い、ライフタイム測定を行っている。そして、デバイスの局所的欠陥の 解析のために、4H-SiC ウェハ表面におけるライフタイムの二次元マッピングを試みた。