[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

[10p-W922-8] イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とその応用
－ダイヤモンド中浅い単一NVセンターの配列形成－

〇谷井 孝至¹、品田 高弘²、寺地 徳之³、小野田 忍⁴、大島 武⁴、McGuinness Liam⁵、Jelezko Fedor⁵、Liu Yan⁶、Wu E⁶、加田 渉⁷、花泉 修⁷、川原田 洋¹、磯谷 順一⁸ (1.早大理工、2.東北大、3.物材機構、4.量研、5.ウルム大、6.華東師範大、7.群大、8.筑波大)

キーワード：不純物欠陥、ダイヤモンド中のNVセンター、シングルイオン注入

筆頭著者はダイヤモンドの研究では後発であるが，電子線リソグラフィーと不純物イオン注入を中心に，数年前より共著者らの協力を得て，単一NVセンターや単一SiVセンターの規則的配列形成を試みてきた。前者は量子レジスターまたは量子センシング応用，後者は単一光子源としての応用を目的として試作された。講演では，私たちの取り組み^{4, 5)} を中心に，上記の単一欠陥の規則的配列作製プロセスならびに評価結果に関して紹介する。