2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-Z02-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年9月10日(木) 09:00 〜 11:30 Z02

片山 竜二(阪大)、関口 寛人(豊橋技科大)

10:00 〜 10:15

[10a-Z02-5] ミスト供給法を用いたAlInN層の熱酸化の低温化

〇(M1)松本 浩輝1、岩山 章1、小出 典克1、小田原 麻人1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、丸山 隆浩1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤崎記念センター)

キーワード:半導体, AlInN, 酸化