[10a-Z04-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [10a-Z04-9] Study on p-GaN Dry-etching towards Fabrication of GaN-based HBTs

〇Takeru Kumabe¹, Yuto Ando¹, Hirotaka Watanabe², Atsushi Tanaka^2,3, Yoshio Honda², Manato Deki^1,4, Shugo Nitta², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.NIMS, 4.VBL Nagoya Univ., 5.ARC Nagoya Univ.)

Keywords:p-type GaN, Dry-etching, Ohmic contact

本研究では，GaN HBTの作製に向けて，p型GaN(ベース)の低ダメージ・ドライエッチングを検討した．ICP-RIEにおけるバイアスパワーに着目し，これを十分に下げることで(< 2.5 W)，より低ダメージであることを示すPL測定結果と，未処理サンプルと同水準の電気特性が得られた．低バイアスパワーでのICP-RIEは，GaN HBT作製時のp型GaN(ベース)エッチング手法として有効である．