[10p-Z05-1~19] 6.4 薄膜新材料

△ [10p-Z05-14] 分子線エピタキシー法による高品質ヨウ化銅薄膜の作製

〇(M2)稲垣 宗太朗¹、中村 優男^2,3、相澤 直矢^2,3、Peng Licong²、Yu Xiuzhen²、十倉 好紀^1,2,4、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.JST さきがけ、4.東京カレッジ)

キーワード：ワイドギャップ半導体, 薄膜作製, 結晶性

ヨウ化銅はLEDや太陽電池の透明電極材料として期待されているが、これまでバルク単結晶に比べてはるかに結晶性の低い薄膜の報告しかなかった。本研究では、分子線エピタキシー法による高品質なヨウ化銅薄膜の作製を目指した。低温で極薄のセルフバッファー層を導入した後に高温で本成長を行うことで、結晶性が格段に向上した単結晶薄膜が得られた。この薄膜では、PLスペクトルにより欠陥準位密度の大幅な低減が確認された。