[10p-Z05-1~19] 6.4 Thin films and New materials

△ [10p-Z05-13] Study on the growth condition of Zn_xMn_1-xS buffer layer for nonpolar AlN growth on Si

〇Masaya Morita^1,2, Keiji Ishibashi³, Kenichirou Takahashi³, Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹, Takahiro Nagata² (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.COMET Inc.)

Keywords:buffer layer, sulfide, sputtering

Si上への無極性面AlN及び無極性面GaNの実現に向けて、MnSバッファー層を用いることでSi上に無極性面AlNの結晶化を実現できたが、MnSとSiの界面状態の不安定さが課題である。本研究ではMnS層にZnSを添加したZn_xMn_1-xSバッファー層に着目し、Zn_xMn_1-xSの作製条件を変えることによるMnSとSiの界面状態及び無極性面AlNの成長に与える効果について検討を行い、その結果を報告する。