10:45 〜 11:00
[11a-Z02-7] グラフェンマスクを用いた化学ビームエピタキシーによるGaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシー
キーワード:窒化ガリウム, グラフェン, マイクロチャンネルエピタキシー
低角入射マイクロチャンネルエピタキシーにおいて従来のSiO2マスクではなく、グラフェンマスクを使用した。グラフェンマスク上でもGaNの横方向成長は良好に生じたが、1回転写グラフェンマスクの場合は、2回転写グラフェンマスクに比べ、特徴的な横方向成長の形態が得られた。
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
10:45 〜 11:00
キーワード:窒化ガリウム, グラフェン, マイクロチャンネルエピタキシー