[13a-PA2-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[13a-PA2-2] RFスパッタ法を用いたHigh-k ゲート絶縁膜の作製と評価

〇手塚 大輝¹、成澤 謙真¹、内山 潔¹ (1.鶴岡工業高等専門学校)

キーワード：強誘電体、高誘電率薄膜、薄膜

近年、ディスプレイの画素制御素子として薄膜トランジスタ(TFT)が用いられている。TFTの絶縁層材料としてSiO₂が主流であったが、高精細化、省電力化を高い水準で確立することは困難となりつつある。そこで、絶縁層をHigh-k材料に置き換えることで高性能なディスプレイの実現が期待される。本研究では、SrNb₂O₆及びBaTa₂O₆に着目し、ゲート絶縁膜用の観点からその電気特性の評価を行った。