[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-3] アセチルアセトナート化した原料水溶液によるα 型酸化ガリウム薄膜のミスト CVD 成長

〇宇野 和行¹、太田 茉莉香¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD

水和したガリウム水溶液をアセチルアセトナート錯体化した水溶液を作製し，これを原料水溶液としたミストCVD法でC面サファイア基板上に薄膜結晶成長を行った。系統的な実験を行ったところ，水溶液の錯体化が成長速度やエピタキシャル成長に大きな役割を演じていること，炭素不純物についての評価，成長膜中の酸素原子が水を起源とすることなどを実験的に明らかとなった。