[15p-A305-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [15p-A305-9] 単結晶シリコン薄膜のプラスチック基板への局所転写に関する研究

〇平野 友貴¹、河北 竜治¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：フレキシブルデバイス、シリコンプロセス、層転写技術

これまでに 99.9% 以上の転写歩留まりでPET基板上に単結晶シリコンを用いて高い電界効果移動度、高い信頼性を有する CMOS 回路やメモリの作製を報告している。そこで、使い捨てが求められるバイオセンサーなどのより広範なアプリケーションへ応用するためには、コストの大幅な削減が必要とされる。よって本研究では、同一 SOI 基板上の c-Si 薄膜を複数のプラスチック基板上の必要な領域にのみに局所的に繰り返し転写するプロセスの構築を試みた。