一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
09:00 〜 09:15
〇(M1)小森 勇太1、木村 安希1、星井 拓也1、宮野 清孝2、津久井 雅之2、水島 一郎2、依田 孝2、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大電気電子系、2.ニューフレアテクノロジー)
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09:15 〜 09:30
〇角谷 正友1、後藤 修2、Sang Liwen1、高原 悠希1,3、上殿 明良3、今中 康貴1、今野 泰一郎2、堀切 文正2、木村 健司2、藤倉 序章2 (1.物材機構、2.サイオクス、3.筑波大)
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09:30 〜 09:45
〇YUWEI ZHANG1、Soichiro Kawata1、Naotaka Iwata1 (1.Toyota Tech. Inst.)
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09:45 〜 10:00
〇(D)Duong Dai Nguyen1、Takehiro Isoda1、Yuchen Deng1、Toshi-kazu Suzuki1 (1.Jap. Adv. Inst. of Sci. and Tech.)
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10:00 〜 10:15
〇井上 暁喜1、田中 さくら1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
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10:15 〜 10:30
〇(M1)木村 匠之介1、三浦 克之1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大)
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10:45 〜 11:00
〇佐々木 満孝1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東京工業大学)
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11:00 〜 11:15
〇太田 貴士1、佐々木 満考1、高山 研1、濱田 拓也1、高橋 言緒2、井出 利英2、清水 三聡2、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大、2.産総研)
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11:15 〜 11:30
〇久恒 悠介1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大)
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11:30 〜 11:45
〇齊藤 裕人1、福井 青空1、小畑 智弘1、田中 敦之2、須賀 唯知3、竹内 魁3 (1.名工業大工、2.名大、3.明星大)
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